증권사리포트
반도체(DRAM, 3D NAND)용 Precursor 제조 업체
삼성전자, SK하이닉스, Nanya 등을 주요 고객으로 하는 전구체(Precursor) 제조 업체로서, 1H16 DRAM 76%와 NAND 24%의 매출 비중을 기록했다. Precursor는 반도체의 증착 공정에 주로 사용되며, 최종적으로 증착될 막질의 전단계 제품이다. 디엔에프는 2012년 삼성전자 DRAM과 2013년 삼성전자 3D NAND에 Precursor를 신규 공급하며 실적 성장을 기록했으나, 지속된 DRAM 업황 악화와 3D NAND 점유율 하락으로 인해 작전 고점대비-52% 의 주가 하락을 시현했다.
DRAM(DPT, High-K) 턴어라운드
그동안 주가 하락을 이끌었던 DRAM 부문의 실적이 턴어라운드 할 전망이다. DRAM향 Precursor인 DPT와 High-K는 DRAM의 미세공정 전환 시 사용량이 늘어나는 특성을 지니고 있는데, 삼성전자의 18nm 공정 전환이 본격화되는 1Q17부터 출하량이 큰 폭으로 증가할 전망이기 때문이다. DRAM의 가격 상승이 관련 소재의 단가인하 압력을 완화시키고 있기 때문에, 출하량 증가는 전사 실적 성장으로 이어질 것이다.
3D NAND 모멘텀 재개. 예전보다 강하다
주요 고객사인 삼성전자는 4Q16부터 2Q17까지 총 120K/월의 64단 3D NAND를 신규 가동할 전망이다. 64단 3D NAND 제조에 사용되는 Precursor는 기존 48단 대비 높은 기술력을 필요되기 때문에, Precursor 선두 업체인 디엔에프의 점유율이 급등할 것으로 판단된다. 따라서 2017년은 기존 HCDS의 실적이 급등(+96%YoY)하고, DRAM에만 공급됐던 DPT가 3D NAND로 신규 공급되는 시기가 될 전망이다.
현 주가 12MF P/E 10배 불과. 매수 적기
동사의 주가는 최근의 주가 상승에도 불구하고, 12MF P/E 10배 수준에 불과 하다. 삼성전자의 3D NAND 추가 증설과 디스플레이용 Precursor 신규 공급이 가시화될 경우 추가적인 실적Upside 또한 가능하므로, 현재의 주가 조정 시기를 매수 적기라고 판단한다.
하향100 -0.46%
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