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'HBM 패키징 달인' SK하이닉스 최우진 부사장, 동탑산업훈장 수상

파이낸셜뉴스 2024.11.19 10:51 댓글0

제48회 국가생산성대회에서 국가생산성대상 동탄산업훈장을 받은 <span id='_stock_code_000660' data-stockcode='000660'>SK하이닉스</span> 최우진 부사장. SK하이닉스 제공

제48회 국가생산성대회에서 국가생산성대상 동탄산업훈장을 받은 SK하이닉스 최우진 부사장. SK하이닉스 제공

[파이낸셜뉴스] SK하이닉스 P&T(Package & Test)담당 최우진 부사장이 반도체 패키징 분야 기술 혁신을 통해 고대역폭메모리(HBM) 경쟁력 향상을 이루어낸 공로로 동탑산업훈장을 수상했다고 SK하이닉스가 19일 밝혔다.

시상식은 지난 7일 서울 여의도 FKI 타워에서 열린 ‘제48회 국가생산성대회’에서 진행됐다. 산업통상자원부가 주최하고 한국생산성본부가 주관하는 국가 생산성 대상은 탁월한 생산성 혁신을 달성한 기업과 유공자에게 수여된다.

최 부사장은 HBM 기술 혁신을 바탕으로 인공지능(AI) 메모리 시장 선도 지위 확보, 소·부·장(소재·부품·장비) 글로벌 공급망 불안 해소, 제조·기술 혁신을 통한 생산성 향상 및 위기 극복 등의 공로를 인정받아 수훈의 영예를 안았다. 그는 "많은 도전과 변화 속에서도 우리가 모두 멈추지 않고 혁신과 성장을 추구해 온 덕분에, 제가 이런 큰 상을 받을 수 있었다고 생각한다"고 소감을 전했다.

최 부사장이 이끄는 P&T 조직은 반도체 생산공정 중 후(後) 공정에 해당하는 패키징과 테스트를 담당한다. 팹(Fab)에서 전(前) 공정을 마친 웨이퍼를 고객이 사용할 수 있는 제품 형태로 패키징하고, 고객이 요구하는 수준에 적합한 품질인지 테스트해 신뢰성까지 확보하는 역할이다.

패키징 기술력은 SK하이닉스 HBM 경쟁력의 핵심이다. SK하이닉스는 D램에 미세 구멍을 뚫어 칩들을 수직관통전극으로 연결하는 기술인 TSV와 층층이 쌓인 칩 사이 범프를 녹여 칩끼리 연결하고, 칩 사이에 보호재를 채워 내구성과 열 방출 효과를 높이는 기술인 매스 리플로우(MR)-몰디드 언더필(MUF)을 갖고 있다.

최 부사장은 지난 2019년 HBM 3세대 제품인 HBM2E 패키지에 최초로 MR-MUF 기술을 도입해 열과 압력으로 인한 품질 문제를 개선했으며, 수율을 개선하고 생산량을 끌어올려 시장 판도를 바꿨다. 또 MR-MUF 기술을 고도화한 ‘어드밴스드 MR-MUF’ 기술을 개발해 4세대 HBM3 12단과 5세대 HBM3E 개발 및 양산까지 성공으로 이끌었다.

최 부사장은 구성원들에게 "마지막까지 품질 향상에 대해 깊이 고민하기 바란다"며 "‘기술’과 ‘품질’이라는 기본을 잊지 않고, 도전 정신을 발휘한다면 위기가 다시 닥쳐와도 우리는 그것을 또 다른 ‘기회’로 만들 수 있을 것"이라고 말했다.

psy@fnnews.com 박소연 기자

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